IRLML2030TRPBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 2,7А, 1,3Вт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8063708966
- Артикул
- IRLML2030TRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 1.4mm
- Series
- HEXFET
- Тип
- MOSFET
- Pin Count
- 3
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Компания International Rectifier выпустила новую линейку HEXFET силовых полевых транзисторов в стандартных корпусах SOT-23 со сверхнизким сопротивлением канала в открытом состоянии для приложений, включающих устройств зарядки и коммутаторов аккумуляторных батарей, маломощного привода и телекоммуникационного оборудования. Новые приборы SOT-23 отличаются улучшенными параметрами токовой нагрузки, что удалось достичь благодаря уменьшению сопротивления канала на 90%. Эти транзисторы также характеризуются очень малым зарядом затвора и малой паразитной миллеровской емкостью, благодаря чему имеют сверхбыстрое время переключения. Новая линейка полевых транзисторов охватывает широкий диапазон рабочего напряжения от - 30 до 100 В с различными уровнями сопротивления и заряда затвора, что позволит разработчикам выбрать оптимальный прибор для решения конкретных задач без дополнительных материальных затрат.
Технические параметры
| Width | 1.4mm |
| Series | HEXFET |
| Тип | MOSFET |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.03 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-23 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Мощность | рассеиваемая(Pd)-1.3 Вт |
| Описание | MOSFET MOSFT 30V 2.7A 100mOhm 1.0nC |
| Упаковка | REEL, 3000 шт. |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Емкость, пФ | 110 |
| Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-1.3 В |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 1.3 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 1 nC @ 4.5 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 2.3V @ 25uA |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Способ монтажа | поверхностный(SMT) |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.3V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 100 mΩ |
| Тип проводимости | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 2.7 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 100mО© @ 2.7A,10V |
| Заряд затвора, нКл | 1 |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 1.3W |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 2.7A |
| Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 2.7 |
| Максимально допустимое напряжение | затвор-исток(Vgs)±20 В |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 60*50*50/12000 |
| MSL(Уровень чувствительности к влажности) | 1 |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 100 |