IRLML0040TRPBF, Транзистор полевой SMD (N-канал 40В 3,6А Micro3/SOT23)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8021838629
- Артикул
- IRLML0040TRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 1.4mm
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series
- HEXFET
- Тип
- MOSFET
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой IRLML0040TRPBF производства компании INFINEON отличается высокими характеристиками для различных электронных устройств. Модель выполнена в компактном SMD-исполнении, что позволяет легко монтировать ее на печатные платы. Транзистор имеет тип N-MOSFET, обеспечивающий высокую скорость коммутации. С током стока в 3,6 А и максимальным напряжением сток-исток в 40 В, этот компонент гарантирует надежную работу в широком диапазоне применений. Мощность транзистора составляет 1,3 Вт, что свидетельствует о его хорошей эффективности. Корпус SOT23 обеспечивает удобство монтажа и экономит место на плате. Используйте IRLML0040TRPBF для повышения производительности ваших электронных проектов. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 3.6 Напряжение сток-исток, В 40 Мощность, Вт 1.3 Корпус SOT23
Технические параметры
| Width | 1.4mm |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series | HEXFET |
| Тип | MOSFET |
| Series: | N-Channel |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 4.3 ns |
| Rise Time: | 5.4 ns |
| Tradename: | HEXFET |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-23 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | sot23 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| RoHS Compliant | Yes |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Part # Aliases: | IRLML0040TRPBF SP001572982 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Мощность | рассеиваемая(Pd)-1.3 Вт |
| Описание | MOSFET MOSFT 40V 3.6A 56mOhm 2.6nC Qg |
| Упаковка | REEL, 3000 шт. |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 2.6 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Емкость, пФ | 266 |
| Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-1 В |
| Особенности | логические уровни |
| Pd - Power Dissipation: | 1.3 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 1.3 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 2.6 nC @ 4.5 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -16 V, +16 V |
| Температура, С | -55…+150 |
| Maximum Gate Source Voltage | -16 V, +16 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5.1 ns |
| Способ монтажа | поверхностный(SMT) |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 6.4 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 3.6 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 6.2 s |
| Maximum Drain Source Resistance | 56 mΩ |
| Тип проводимости | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 3.6 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 78 mOhms |
| Заряд затвора, нКл | 3.9 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Крутизна характеристики, S | 11 |
| Крутизна характеристики S,А/В | 6.2 |
| Пороговое напряжение на затворе | -0.4…-1.2 В |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 3.6 |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 60*50*50/6000 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.6 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±16В |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 54 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 56 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 2.5 |