Моя заявка (0)

IRLM120ATF, Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

IRLM120ATF, Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002306933
Артикул
IRLM120ATF
Бренд
ON Semiconductor***
Tab
Tab
PPAP
No
SVHC
Yes
Mounting
Surface Mount
Цена по запросу
(от 83 ₽)
Минимальный заказ: 908 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-контактный (3+вкладки) SOT-223 T/R

Технические параметры

TabTab
PPAPNo
SVHCYes
MountingSurface Mount
PackagingTape and Reel
Pin Count4
AutomotiveNo
Lead ShapeGull-wing
Вес, г1
PCB changed3
Part StatusObsolete
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
КорпусSOT-223
ConfigurationSingle Dual Drain
Package Width3.5 mm
Package Length6.5 mm
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageSOT-223
СтруктураN-Channel
Standard Package NameSOT
SVHC Exceeds ThresholdYes
Typical Fall Time (ns)9
Typical Rise Time (ns)10
Особенностилогические уровни
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)2700
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)10.2@5V
Maximum Gate-Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)5
Maximum Drain-Source Voltage (V)100
Typical Turn-Off Delay Time (ns)19
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)2.3
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)340@25V
Maximum Drain-Source Resistance (mOhm)220@5V
Пороговое напряжение на затворе2.5V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А120
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация