IRLL2705TRPBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 55В, 3,8А, 2,1Вт, SOT223
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062048359
- Артикул
- IRLL2705TRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.29.0095
- Series
- HEXFETВ® ->
- Тип
- MOSFET
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой IRLL2705TRPBF производителя INFINEON – это высококачественный N-MOSFET компонент, предназначенный для монтажа в SMD исполнении. С током стока 3,8 А и напряжением сток-исток 55 В, этот транзистор способен выдерживать мощность до 2,1 Вт, что делает его идеальным выбором для различных электронных схем. Компактный корпус SOT223 обеспечивает удобство интеграции в печатные платы. Добавьте надежность и эффективность в ваш проект с помощью IRLL2705TRPBF от INFINEON. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 3.8 Напряжение сток-исток, В 55 Мощность, Вт 2.1 Корпус SOT223
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Series | HEXFETВ® -> |
| Тип | MOSFET |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | В±16V |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.22 |
| Длина | 6.7мм |
| Серия | HEXFET |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Высота | 1.739мм |
| Ширина | 3.7мм |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Размеры | 6.7 x 3.7 x 1.739мм |
| Мощность | рассеиваемая(Pd)-1 Вт |
| Описание | MOSFET MOSFT 55V 3.8A 40mOhm 32nC Log Lvl |
| Упаковка | REEL, 2500 шт. |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250ВµA |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Base Product Number | IRLL2705 -> |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Тип канала | N |
| Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-1.8 В |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Тип корпуса | SOT-223 |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 3.8A, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) |
| Supplier Device Package | SOT-223 |
| Номер канала | Поднятие |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 2V @ 250uA |
| Производитель | Infineon |
| Температура, С | -55…+150 |
| Способ монтажа | поверхностный(SMT) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48nC @ 10V |
| Число контактов | 3+Tab |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Тип проводимости | N |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 40mО© @ 3.8A,10V |
| Заряд затвора, нКл | 48 |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 1W |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 870pF @ 25V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 55V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 3.8A |
| Материал транзистора | Кремний |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 3.8A (Ta) |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Крутизна характеристики S,А/В | 5.1 |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 32 nC @ 10 V |
| Типичная входная емкость при Vds | 870 pF @ 25 V |
| Максимальное рассеяние мощности | 2.1 W |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 5.2 |
| Типичное время задержки включения | 6.2 ns |
| Максимальное напряжение сток-исток | 55 В |
| Максимальный непрерывный ток стока | 5.2 A |
| Типичное время задержки выключения | 35 ns |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 60*50*50/2500 |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -16 V, +16 V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 65 мΩ |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 40 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 40 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 2 |