IRLL024NTRPBF, Транзистор N-МОП, полевой, logic level, 55В 4,4A 2
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062107080
- Артикул
- IRLL024NTRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 3.7mm
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series
- HEXFET
- Тип
- MOSFET
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой IRLL024NTRPBF от производителя INFINEON является высококачественным компонентом для современной электроники. Монтаж данного транзистора осуществляется по технологии SMD, что обеспечивает удобство в интеграции на печатные платы. С током стока 4,4 А и напряжением сток-исток 55 В, этот N-MOSFET способен управлять средней мощностью до 2,1 Вт. Отличительной особенностью является низкое сопротивление в открытом состоянии всего 0,1 Ом, что позволяет минимизировать потери мощности. Продукт заключен в компактный корпус SOT223, что делает его идеальным для использования в ограниченном пространстве. Код товара IRLL024NTRPBF гарантирует соответствие высоким стандартам качества INFINEON. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 4.4 Напряжение сток-исток, В 55 Мощность, Вт 2.1 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.1 Корпус SOT223
Технические параметры
| Width | 3.7mm |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series | HEXFET |
| Тип | MOSFET |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.22 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-223 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | SOT-223-4 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Мощность | рассеиваемая(Pd)-1 Вт |
| Описание | MOSFET MOSFT 55V 4.4A 65mOhm 10.4nC LogLvl |
| Упаковка | REEL, 2500 шт. |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 15.6 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Емкость, пФ | 510 |
| Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-1.8 В |
| Pd - Power Dissipation: | 2.1 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 2.1 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 10.4 nC @ 5 V |
| Температура, С | -55…+150 |
| Maximum Gate Source Voltage | -16 V, +16 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Способ монтажа | поверхностный(SMT) |
| Maximum Drain Source Voltage | 55 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 4.4 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 100 mΩ |
| Тип проводимости | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 4.4 A |
| Заряд затвора, нКл | 15.6 |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.8 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С |
| Крутизна характеристики S,А/В | 3.3 |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 4.4 |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 63*44*44/5000 |
| Максимальное напряжение сток-исток, В | 55 |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 100 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 65 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 2 |