IRLL014NTRPBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 55В, 2А, 2,1Вт, SOT223
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8023130070
- Артикул
- IRLL014NTRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 3.7mm
- Series
- HEXFET
- Тип
- MOSFET
- Pin Count
- 3
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой IRLL014NTRPBF от компании INFINEON является высококачественным компонентом для современной электроники. Этот N-MOSFET транзистор обладает мощностью 2,1 Вт и способен работать при токе стока до 2 А, что делает его подходящим для широкого спектра применений. Напряжение сток-исток устройства составляет 55 В. Благодаря SMD-монтажу, транзистор легко интегрируется в печатные платы, оптимизируя процесс производства и уменьшая общие затраты на сборку. Корпус SOT223 обеспечивает удобство монтажа и надежность в работе. Модель IRLL014NTRPBF станет отличным выбором для разработчиков, ценящих высокое качество и надежность компонентов INFINEON. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 2 Напряжение сток-исток, В 55 Мощность, Вт 2.1 Корпус SOT223
Технические параметры
| Width | 3.7mm |
| Series | HEXFET |
| Тип | MOSFET |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.21 |
| Длина | 6.5 mm |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-223 |
| Высота | 1.6 mm |
| Корпус | SOT223 |
| Ширина | 3.5 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Мощность | рассеиваемая(Pd)-1 Вт |
| Описание | MOSFET MOSFT 55V 2A 140mOhm 9.5nC LogLvl |
| Упаковка | REEL, 2500 шт. |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | Si |
| Емкость, пФ | 230 |
| Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-1.8 В |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Особенности | логические уровни |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 2.1 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 9.5 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -16 V, +16 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Способ монтажа | поверхностный(SMT) |
| Торговая марка | Infineon / IR |
| Упаковка / блок | SOT-223-4 |
| Maximum Drain Source Voltage | 55 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Qg - заряд затвора | 9.5 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 280 mΩ |
| Тип проводимости | N |
| кол-во в упаковке | 2500 |
| Maximum Continuous Drain Current | 2.8 A |
| Заряд затвора, нКл | 14 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 2.1 W |
| Другие названия товара № | SP001578654 |
| Id - непрерывный ток утечки | 2 A |
| Крутизна характеристики, S | 2.3 |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 16 V |
| Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 280 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 55 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 2 |
| Максимально допустимое напряжение | затвор-исток(Vgs)±16 В |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 60*50*50/2500 |
| Максимальное напряжение сток-исток, В | 55 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±16В |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 140 |