IRLI640GPBF, Power MOSFET, N Channel, 200 V, 9.9 A, 0.18 ohm, TO-220FP, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8009044485
- Артикул
- IRLI640GPBF
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 5
- Channel Mode
- Enhancement
- Channel Type
- N
Цена по запросу
(от 445 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 200В, 9,9А, Idm: 40А, 40Вт, TO220FP Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 5 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220FP |
| Корпус | TO-220 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Особенности | логические уровни |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 40 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 66 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -10 V, +10 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 200 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 180 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 9.9 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9.9 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 40 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±10В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.18 Ом |