IRLHS6376TRPBF, Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 30 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.048 ohm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8561261563
- Артикул
- IRLHS6376TRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Q(g)
- 2.8 nC
- V(DS)
- 30 V
- P(tot)
- 1.5 W
- Вид
- N-MOSFET
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой IRLHS6376TRPBF производителя INFINEON – это высококачественный компонент для SMD-монтажа, обеспечивающий стабильную работу в электронных устройствах. С током стока 3,6 А и напряжением сток-исток 30 В, он способен выдерживать мощность до 1,5 Вт. Этот N-MOSFET транзистор в миниатюрном корпусе PQFN2X2 идеально подходит для компактных схем, где необходима высокая эффективность и надёжность. Модель IRLHS6376TRPBF – ваш выбор для создания эффективных и долговечных электронных решений. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 3.6 Напряжение сток-исток, В 30 Мощность, Вт 1.5 Корпус PQFN2X2
Технические параметры
| Q(g) | 2.8 nC |
| V(DS) | 30 V |
| P(tot) | 1.5 W |
| Вид | N-MOSFET |
| Тип | полевой |
| Package | PQFN 2x2 |
| R(thJC) | 19 K/W |
| Mounting | SMD |
| Packaging | REEL |
| Automotive | NO |
| Technology | HEXFET |
| Вес, г | 0.1 |
| Logic level | NO |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Channel Type | N |
| Package Type | PQFN Dual 2mm x 2mm |
| Корпус | PQFN2X2 |
| Монтаж | SMD |
| Configuration | DUAL N-CH |
| Mounting Type | Through Hole |
| Fast bodydiode | NO |
| I(D)at Tc=25°C | 3.4 A |
| Структура | N-Channel |
| Ток стока, А | 3.6 |
| Мощность, Вт | 1.5 |
| Особенности | логические уровни |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Continuous Drain Current | 3.6 A |
| Напряжение сток-исток, В | 30 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.6 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.048 Ом |