IRLHS2242TRPBF, Транзистор P-МОП, полевой, HEXFET,logic level, -20В, -7,2А
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024119736
- Артикул
- IRLHS2242TRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- V(DS)
- 30 V
- Width
- 2.1mm
- Series
- HEXFET
- Package
- PQFN 2x2
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой IRLHS2242TRPBF от производителя INFINEON – высококачественный компонент для поверхностного монтажа (SMD), предназначенный для использования в современной электронике. Отличается стабильным током стока в 7,2 А и напряжением сток-исток 20 В. Мощность устройства составляет 2,1 Вт, что гарантирует надежность и долговечность в работе. Тип N-MOSFET данного транзистора обеспечивает высокую эффективность при минимальных потерях мощности. Компактный корпус PQFN3.3X3.3 удобен для монтажа на печатные платы с ограниченным пространством. Продукт IRLHS2242TRPBF является отличным выбором для разработчиков, стремящихся к оптимизации электронных схем. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 7.2 Напряжение сток-исток, В 20 Мощность, Вт 2.1 Корпус PQFN3.3X3.3
Технические параметры
| V(DS) | 30 V |
| Width | 2.1mm |
| Series | HEXFET |
| Package | PQFN 2x2 |
| Packaging | REEL |
| Pin Count | 6 |
| Automotive | NO |
| Вес, г | 0.03 |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | PQFN 2x2 |
| Configuration | P-CH |
| Mounting Type | Surface Mount |
| RDS(on)at 10V | 40 mOhm |
| Fast bodydiode | NO |
| Структура | P-МОП |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Особенности | логические уровни |
| Maximum Power Dissipation | 9.6 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -12 V, +12 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.1V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 53 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 7.2 A |
| Крутизна характеристики, S | - |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7.2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |