IRLD110PBF, Транзистор N-MOSFET 100В 1А 1.3Вт 0.54Ом [HVMDIP.] [EOL]
![IRLD110PBF, Транзистор N-MOSFET 100В 1А 1.3Вт 0.54Ом [HVMDIP.] [EOL]](https://static.epl-electro.ru/lib/306/DOC005306871.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 505841151
- Артикул
- IRLD110PBF
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.6
- Корпус
- HVMDIP-4
- Структура
- N-Channel
- Особенности
- логические уровни
Цена по запросу
(от 74,80 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 0,7А, 1,3Вт, DIP4 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Вес, г | 0.6 |
| Корпус | HVMDIP-4 |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | логические уровни |
| Крутизна характеристики, S | 1.3 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±10 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.54 Ом/0.6А, 5В |