IRLD024PBF, Транзистор N-MOSFET 60В 2.5А 1.3Вт 0.1Ом [HVMDIP.] [EOL]
![IRLD024PBF, Транзистор N-MOSFET 60В 2.5А 1.3Вт 0.1Ом [HVMDIP.] [EOL]](https://static.epl-electro.ru/lib/306/DOC005306871.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 63828
- Артикул
- IRLD024PBF
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.6
- Корпус
- HVMDIP-4
- Структура
- N-Channel
- Особенности
- логические уровни
Цена по запросу
(от 253 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 1,8А, 1,3Вт, DIP4 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Вес, г | 0.6 |
| Корпус | HVMDIP-4 |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | логические уровни |
| Крутизна характеристики, S | 7.3 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 14 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±10 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.1 Ом/1.5А, 5В |