Моя заявка (0)

Транзистор полевой IRLD014 MOSFET N-CH 60V 1.7A

Транзистор полевой IRLD014 MOSFET N-CH 60V 1.7A

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070018030
Артикул
IRLD014
Бренд
International Rectifier
RoHS
Подробности
Width
6.29mm
Pin Count
4
Вес, г
0.3
Цена по запросу
(от 140 ₽)
Минимальный заказ: 9 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор IRLD014. Характеристики Обозначение: IRLD014 Категория: Транзисторы / Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) Параметры: полевой MOSFET N-CH 60V 1.7A Корпус: DIP-4 Масса: 0.25 г Производитель: IR Единица измерения: шт

Технические параметры

RoHSПодробности
Width6.29mm
Pin Count4
Вес, г0.3
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeHVMDIP
Mounting TypeThrough Hole
УпаковкаTube
Transistor MaterialSi
Вид монтажаThrough Hole
Время спада110 ns
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle Dual Drain
Maximum Power Dissipation1.3 W
Typical Gate Charge @ Vgs8.4 nC @ 5 V
ПроизводительVishay
Maximum Gate Source Voltage-10 V, +10 V
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаVishay/Siliconix
Упаковка / блокHexDIP-4
Maximum Drain Source Voltage60 V
Maximum Operating Temperature+175 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Канальный режимEnhancement
Minimum Gate Threshold Voltage1V
Maximum Drain Source Resistance200 mΩ
Время нарастания110 ns
Maximum Continuous Drain Current1.7 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности1.3 W
Id - непрерывный ток утечки1.7 A
Размер фабричной упаковки2500
Rds Вкл - сопротивление сток-исток200 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток60 V
Минимальная рабочая температура-55 C
Максимальная рабочая температура+150 C
Vds - напряжение пробоя затвор-исток10 V
Типичное время задержки выключения17 ns

Техническая документация