IRLB8314PBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070064653
- Артикул
- IRLB8314PBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 4.83mm
- Series
- HEXFET
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1.96
Цена по запросу
(от 174,87 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Линейка дискретныx силовыx МОП-транзисторов HEXFET® от Infineon включает в себя N-канальные устройства для поверxностного монтажа и свинцовые корпуса.
Технические параметры
| Width | 4.83mm |
| Series | HEXFET |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1.96 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220AB |
| Mounting Type | Through Hole |
| Forward Diode Voltage | 1V |
| Power Dissipation (Pd) | 125W |
| Maximum Power Dissipation | 125 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 40 nC @ 4.5 V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 60nC@4.5V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 5.05nF@15V |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 171A |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.2V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 3.2 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 171 A |