IRLB4132PBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 100А, Idm: 620А, 140Вт, TO220AB
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062079857
- Артикул
- IRLB4132PBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- RoHS
- Details
- Brand
- Infineon/IR
- Width
- 4.4 mm
- Height
- 15.65 mm
Цена по запросу
(от 245,48 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовой МОП-транзистор HEXFET® в корпусе TO-220AB, оптимизированный для ИБП / инверторов. • Очень низкий RDS (вкл.) при напряжении 4,5 В • Сверxнизкое сопротивление затвора • Полностью описанные лавинные напряжение и ток
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | Infineon/IR |
| Width | 4.4 mm |
| Height | 15.65 mm |
| Length | 10 mm |
| FET Type | N-Channel |
| Fall Time | 36 ns |
| Packaging | Tube |
| Rise Time | 92 ns |
| Tradename | StrongIRFET |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technology | Si |
| Вес, г | 1.97 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N Channel |
| Manufacturer | Infineon |
| Package Type | TO-220AB |
| Configuration | 1 N-Channel |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 54 nC |
| Power Dissipation | 140Вт |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 100µA |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 1350 |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| Pd - Power Dissipation | 140 W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5mOhm @ 40A, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 140W(Tc) |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 23 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 25 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 54 nC @ 4.5 V |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Id - Continuous Drain Current | 150 A |
| Maximum Operating Temperature | +175 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Forward Transconductance - Min | 190 S |
| Drain Source On State Resistance | 0.0025Ом |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 2.5 mOhms |
| Линейка Продукции | HEXFET |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5110 pF @ 15 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.35 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 78A(Tc) |
| Непрерывный Ток Стока | 78А |
| Рассеиваемая Мощность | 140Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.8В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220AB |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0025Ом |