IRLB4030PBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 180А, 370Вт, TO220AB
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070073106
- Артикул
- IRLB4030PBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Q(g)
- 87 nC
- V(DS)
- 100 V
- Width
- 4.83mm
- P(tot)
- 370 W
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET транзисторы International Rectifier на напряжение 40-100 В разработаны по новейшей Trench технологии и предназначены для DC-DC преобразователей и систем управления приводом с высоким рабочим током. Низкий уровень сопротивления открытого канала помогает улучшить термопроводимость системы - один из самых критичных параметров преобразователей с высоким рабочим током. С другом стороны, низкое напряжение затвор-исток позволяет управлять транзистором от микроконтроллера или при низком уровне заряда аккумулятора. Низкое напряжение затвор-исток также позволяет повысить эффективность при работе на малых нагрузках благодаря уменьшенному заряду затвора. Помимо низкого сопротивления канала, новое семейство транзисторов имеет рабочий ток 195 А в корпусах TO-220, D2PAK, TO-262. Это на 60% превышает типичные номинальные параметры для данных корпусов, предлагаемые конкурентными компонентами (их рабочий ток не превышает 120А). А транзисторы в 7-выводных корпусах D2PAK достигают еще 16%-ного снижения сопротивления канала при повышении тока до 240 А, что делает их самыми надежными приборами в корпусах для поверхностного монтажа на рынке. Высокий рабочий ток транзисторов в корпусах TO-220, D2PAK, TO-262 позволяет улучшить защиту от нежелательных выбросов напряжения, а также сократить число внешних компонентов при параллельном соединении полевых транзисторов, которое часто используется в системах с высоким рабочим током. Особенности и преимущества нового семейства транзисторов: - оптимизированы для управления на логическом уровне - сверхнизкое сопротивление открытого канала при напряжении затвор-исток 4.5 В - повышенная стойкость к нарастанию напряжения повышенная стойкость к лавинному пробою - отличный показатель качества при напряжении затвор-исток 4.5 В - прямоугольная область безопасной работы - интегрированный на кристалле диод - бессвинцовое исполнение А целевой областью применения транзисторов являются: - управление DC двигателями - электроинструмент - переключения в схемах с высоким током - вторичные схемы синхронных выпрямителей - высокоскоростные переключения в силовых системах
Технические параметры
| Q(g) | 87 nC |
| V(DS) | 100 V |
| Width | 4.83mm |
| P(tot) | 370 W |
| Series | HEXFET |
| Package | TO-220 |
| R(thJC) | 0.4 K/W |
| Mounting | THT |
| Packaging | TUBE |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | NO |
| Technology | HEXFET |
| Вес, г | 1.99 |
| Logic level | NO |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220AB |
| Configuration | N-CH |
| Mounting Type | Through Hole |
| RDS(on)at 10V | 4.3 mOhm |
| Fast bodydiode | NO |
| I(D)at Tc=25°C | 180 A |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 370 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 87 nC @ 4.5 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -16 V, +16 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 4 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 180 A |