IRLB3813PBF, MOSFETs MOSFT 30V 190A 1.95mOhm 57nC Qg
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005530085
- Артикул
- IRLB3813PBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 4.83mm
- Series
- HEXFETВ®
- FET Type
- N-Channel
- Packaging
- Tube
Цена по запросу
(от 220,44 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET,logic level, 30В, 260А
Технические параметры
| Width | 4.83mm |
| Series | HEXFETВ® |
| FET Type | N-Channel |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 6 |
| FET Feature | - |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N Channel |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Package Type | TO-220AB |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Power Dissipation | 230Вт |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 150ВµA |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | Si |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.95mOhm @ 60A, 10V |
| Особенности | логические уровни |
| Power Dissipation (Max) | 230W(Tc) |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 230 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 57 nC @ 4.5 V |
| Температура, С | -55…+175 |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 86nC @ 4.5V |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.35V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.35V |
| Maximum Drain Source Resistance | 2 mΩ |
| Drain Source On State Resistance | 0.0016Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 260 A |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8420pF @ 15V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Непрерывный Ток Стока | 260А |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 260A(Tc) |
| Рассеиваемая Мощность | 230Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.9В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Крутизна характеристики, S | 140 |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220AB |
| Крутизна характеристики S,А/В | 140 |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0016Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 190 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 230 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 1.95 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 2.35 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.95мОм |