HEXFET Type N-Channel MOSFET, 270 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRLB3036PBF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014472388
- Артикул
- IRLB3036PBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Type
- Power MOSFET
- Width
- 4.83mm
- Series
- HEXFET
- Mounting
- Through Hole
Цена по запросу
(от 599 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 270А, 380Вт, TO220AB Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Type | Power MOSFET |
| Width | 4.83mm |
| Series | HEXFET |
| Mounting | Through Hole |
| Polarity | N |
| Packaging | Rail/Tube |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 10 mm |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220AB |
| Rad Hardened | No |
| Высота | 15.65 mm |
| Корпус | TO-220 |
| Ширина | 4.4 mm |
| Mounting Type | Through Hole |
| Упаковка | Tube |
| Power Dissipation | 380(W) |
| Number of Elements | 1 |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Drain-Source On-Volt | 60(V) |
| Operating Temp Range | -55C to 175C |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Особенности | логические уровни |
| Тип продукта | MOSFET |
| Continuous Drain Current | 270(A) |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Gate-Source Voltage (Max) | ±16(V) |
| Maximum Power Dissipation | 380 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 91 nC @ 4.5 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -16 V, +16 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Infineon / IR |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Qg - заряд затвора | 140 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 2 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 270 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 380 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 195 A |
| Крутизна характеристики, S | 340 |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 16 V, + 16 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.8 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.8 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 270 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 380 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±16В |