Моя заявка (0)

IRLB3034PBF, Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

IRLB3034PBF, Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002239171
Артикул
IRLB3034PBF
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Width
4.83mm
Series
HEXFET
Pin Count
3
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 635 ₽)
Минимальный заказ: 37 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 40В, 343А, 375Вт, TO220AB Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Технические параметры

Width4.83mm
SeriesHEXFET
Pin Count3
Вес, г1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-220AB
КорпусTO-220AB
Mounting TypeThrough Hole
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSi
Transistor PolarityN Channel; Continuous Drain Current Id
Особенностилогические уровни
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation375 W
Typical Gate Charge @ Vgs108 nC @ 4.5 V
Температура, С-55…+175
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage40 V
Maximum Operating Temperature+175 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage1V
Maximum Drain Source Resistance2 mΩ
Maximum Continuous Drain Current343 A
Крутизна характеристики, S286
Крутизна характеристики S,А/В286
Пороговое напряжение на затворе2…4 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А343
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт375
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм1.7
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В2.5

Техническая документация