Моя заявка (0)

IRL8114PBF, Trans MOSFET N-CH Si 30V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

IRL8114PBF, Trans MOSFET N-CH Si 30V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8048070425
Артикул
IRL8114PBF
Бренд
International Rectifier
Tab
Tab
PPAP
No
SVHC
Yes
Material
Si
Цена по запросу
(от 363 ₽)
Минимальный заказ: 210 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET N-CH Si 30V 120A с 3-контактным разъемом (3+Tab) для трубки TO-220AB

Технические параметры

TabTab
PPAPNo
SVHCYes
MaterialSi
MountingThrough Hole
PackagingTube
Pin Count3
AutomotiveNo
Lead ShapeThrough Hole
Вес, г1
PCB changed3
Part StatusObsolete
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
КорпусTO-220AB
ConfigurationSingle
Package Width4.83(Max)
Package Length10.67(Max)
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageTO-220AB
Maximum IDSS (uA)1
Process TechnologyHEXFET
СтруктураN-Channel
Standard Package NameTO
SVHC Exceeds ThresholdYes
Typical Fall Time (ns)45
Typical Rise Time (ns)103
Особенностилогические уровни
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)115000
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)19@4.5V
Maximum Gate-Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)27
Maximum Drain-Source Voltage (V)30
Typical Turn-Off Delay Time (ns)29
Maximum Gate Threshold Voltage (V)2.25
Maximum Operating Temperature (°C)175
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)120
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)2660@15V
Maximum Drain-Source Resistance (mOhm)4.5@10V
Maximum Gate-Source Leakage Current (nA)100
Typical Drain-Source Resistance @ 25°C (mOhm)3.5@10V|4.6@4.5V
Пороговое напряжение на затворе2…4 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А120
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация