IRL80HS120, Транзистор N-MOSFET, полевой, 80В, 9А, 5,8Вт, PQFN2X2
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017542525
- Артикул
- IRL80HS120
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- -
- FET Type
- N-Channel
- Packaging
- Cut Tape(CT)
- Pin Count
- 6
Цена по запросу
(от 143,83 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор TRENCH 40<-<100V
Технические параметры
| Series | - |
| FET Type | N-Channel |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Pin Count | 6 |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.5 |
| FET Feature | - |
| Part Status | Active |
| Channel Type | N Channel |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Package Type | DFN2020 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-VDFN Exposed Pad |
| Power Dissipation | 11.5Вт |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 10ВµA |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 10 ns |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32mOhm @ 7.5A, 10V |
| Особенности | логические уровни |
| Power Dissipation (Max) | 11.5W(Tc) |
| Supplier Device Package | 6-PQFN(2x2) |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | PQFN-6 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 4.5V |
| Maximum Drain Source Voltage | 80 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Qg - заряд затвора | 7 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 42 mO |
| Время нарастания | 22 ns |
| Drain Source On State Resistance | 0.025Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 12.5 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 540pF @ 25V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Непрерывный Ток Стока | 12.5А |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 12.5A(Tc) |
| Рассеиваемая Мощность | 11.5Вт |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.7В |
| Pd - рассеивание мощности | 11.5 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 12.5 A |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 80В |
| Размер фабричной упаковки | 4000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | PQFN |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 25 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 80 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.5V@250uA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Типичное время задержки выключения | 9.2 ns |
| Типичное время задержки при включении | 7.6 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.1 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.025Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 14 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 5.8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 40mΩ@5A, 4.5V |