IRL640STRRPBF, Single N-Channel 200 V 0.18 Ohms Surface Mount Power Mosfet - D2PAK-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8037844512
- Артикул
- IRL640STRRPBF
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 2
- Структура
- N-Channel
- Технология
- Si
- Вид монтажа
- SMD/SMT
Цена по запросу
(от 37,50 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор N-Chan 200V 17 Amp
Технические параметры
| Вес, г | 2 |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Особенности | логические уровни |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Qg - заряд затвора | 66 nC |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 125 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 17 A |
| Размер фабричной упаковки | 800 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V, + 10 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 180 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 5V@250uA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.18 Ом |