HEXFET Dual N-Channel MOSFET, 8.1 A, 30 V, 8-Pin SOIC IRL6372TRPBF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8009710068
- Артикул
- IRL6372TRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- PPAP
- No
- Width
- 4mm
- Series
- HEXFET
- EU RoHS
- Compliant
Цена по запросу
(от 96,80 ₽)
Минимальный заказ: 25 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET x2, полевой, 30В, 8,1А, 2,5Вт, SO8 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| PPAP | No |
| Width | 4mm |
| Series | HEXFET |
| EU RoHS | Compliant |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 5 |
| PCB changed | 8 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOIC |
| Корпус | so8 |
| Configuration | Dual Dual Drain |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | SOIC |
| Process Technology | HEXFET |
| Структура | N-Channel |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Standard Package Name | SO |
| Typical Fall Time (ns) | 15 |
| Typical Rise Time (ns) | 13 |
| Особенности | High-Performance Trench |
| Maximum Power Dissipation | 2 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 11 nC @ 15 V |
| Температура, С | -55…+150 |
| Maximum Gate Source Voltage | -12 V, +12 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.1V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2000 |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.5V |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 11@4.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 23 mΩ |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±12 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 5.9 |
| Maximum Continuous Drain Current | 8.1 A |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 30 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 34 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 8.1 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1020@25V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 17.9@4.5V |
| Крутизна характеристики, S | 30 |
| Крутизна характеристики S,А/В | 30 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8.1 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 17.9 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 1.1 |