Моя заявка (0)
Транзистор полевой IRL6342TRPBF

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062727673
Артикул
IRL6342TRPBF
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Width
4mm
Series
HEXFET
Pin Count
8
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 61 ₽)
Минимальный заказ: 1197 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор MOSFT 30V 9.9A 14.6mOhm 2.5V cpbl

Технические параметры

Width4mm
SeriesHEXFET
Pin Count8
Вес, г1
Длина4.9 mm
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeSOIC
Высота1.75 mm
Ширина3.9 mm
Mounting TypeSurface Mount
Transistor MaterialSi
ТехнологияSi
Forward Diode Voltage1.2V
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада14 ns
Тип продуктаMOSFET
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Maximum Power Dissipation2.5 W
Typical Gate Charge @ Vgs11 nC @ 4.5 V
Maximum Gate Source Voltage-12 V, +12 V
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаInfineon / IR
Упаковка / блокSO-8
Maximum Drain Source Voltage30 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Maximum Gate Threshold Voltage1.1V
Minimum Gate Threshold Voltage0.5V
Qg - заряд затвора11 nC
Maximum Drain Source Resistance19 mΩ
Время нарастания12 ns
Maximum Continuous Drain Current9.9 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности2.5 W
Id - непрерывный ток утечки9.9 A
Размер фабричной упаковки4000
Vgs - напряжение затвор-исток12 V, + 12 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток15 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения33 ns
Типичное время задержки при включении6 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.8 V
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.38 S

Техническая документация