Моя заявка (0)

IRL630PBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 200В, 5,7А, 74Вт, TO220AB

IRL630PBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 200В, 5,7А, 74Вт, TO220AB

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017358778
Артикул
IRL630PBF
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Width
4.7mm
Вид
MOSFET
Тип
полевой
Pin Count
3
Цена по запросу
(от 240 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 200В, 5,7А, 74Вт, TO220AB Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Технические параметры

Width4.7mm
ВидMOSFET
Типполевой
Pin Count3
Вес, г2.04
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-220AB
КорпусTO220AB
Mounting TypeThrough Hole
СтруктураMOSFET
Transistor MaterialSi
Особенностилогические уровни
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation74 W
Typical Gate Charge @ Vgs40 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-10 V, +10 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage200 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage1V
Maximum Drain Source Resistance400 mΩ
Maximum Continuous Drain Current9 A
Пороговое напряжение на затворе2…4 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А5.7
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт74
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация