IRL540SPBF, Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001061878
- Артикул
- IRL540SPBF
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- HTS
- 8541.10.00.80
- Tab
- Tab
- EU RoHS
- Compliant with Exemption
- Military
- No
Цена по запросу
(от 410 ₽)
Минимальный заказ: 75 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 100V N-CH HEXFET
Технические параметры
| HTS | 8541.10.00.80 |
| Tab | Tab |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Military | No |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 2 |
| PCB changed | 2 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Package Width | 9.65(Max) |
| Package Height | 4.83(Max) |
| Package Length | 10.41(Max) |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | D2PAK |
| Упаковка | Tube |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Технология | Si |
| Standard Package Name | TO-263 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Typical Fall Time (ns) | 80 |
| Typical Rise Time (ns) | 170 |
| Особенности | логические уровни |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 3700 |
| Qg - заряд затвора | 64 nC |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 64(Max)@5V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±10 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 8.5 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 100 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 35 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 28 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 2200@25V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 77@5V |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 150 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 28 A |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V, + 10 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 77 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 28 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |