IRL520PBF Vishay
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8072321674
- Артикул
- IRL520PBF
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- Mounting
- Through Hole
- ECCN (US)
- EAR99
Цена по запросу
(от 660 ₽)
Минимальный заказ: 3 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор N-Chan 100V 9.2 Amp
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| Mounting | Through Hole |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Through Hole |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 10.41 mm |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Высота | 15.49 mm |
| Ширина | 4.7 mm |
| Configuration | Single |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | TO-220AB |
| Упаковка | Tube |
| Maximum IDSS (uA) | 25 |
| Технология | Si |
| Standard Package Name | TO-220 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 27 ns |
| Typical Fall Time (ns) | 27 |
| Typical Rise Time (ns) | 64 |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка / блок | TO-220AB-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 60000 |
| Qg - заряд затвора | 12 nC |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 12(Max)@5V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±10 |
| Typical Output Capacitance (pF) | 150 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 9.8 |
| Время нарастания | 64 ns |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 100 |
| Typical Gate Plateau Voltage (V) | 3.9 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 21 |
| Maximum Diode Forward Voltage (V) | 2.5 |
| Typical Gate to Drain Charge (nC) | 7.1(Max) |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 2 |
| Minimum Gate Threshold Voltage (V) | 1 |
| Typical Gate to Source Charge (nC) | 3(Max) |
| Typical Reverse Recovery Time (ns) | 130 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 9.2 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 175 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 490@25V |
| Typical Reverse Recovery Charge (nC) | 830 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 270@5V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Maximum Positive Gate Source Voltage (V) | 10 |
| Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A) | 36 |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 60 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 9.2 A |
| Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF) | 30@25V |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 5 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 270 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Типичное время задержки выключения | 21 ns |
| Типичное время задержки при включении | 9.8 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 3.2 S |