IRL510PBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 4А, 43Вт, TO220AB
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070114810
- Артикул
- IRL510PBF
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- HTS
- 8541.29.00.95
- Tab
- Tab
- Width
- 4.7mm
- RDS-on
- 540@5V mOhm
Цена по запросу
(от 169,28 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 4А, 43Вт, TO220AB Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Tab | Tab |
| Width | 4.7mm |
| RDS-on | 540@5V mOhm |
| EU RoHS | Compliant |
| Military | No |
| Mounting | Through Hole |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Through Hole |
| Вес, г | 1.95 |
| Lead Finish | Matte Tin |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220AB |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package Width | 4.7(Max) |
| Package Height | 9.01(Max) |
| Package Length | 10.41(Max) |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | TO-220AB |
| Упаковка | Tube |
| Typical Fall Time | 18 ns |
| Typical Rise Time | 47 ns |
| Max Processing Temp | 300 |
| Transistor Material | Si |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | -55 to 175 °C |
| Standard Package Name | TO-220 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 18 ns |
| Power Dissipation (Pd) | 43W |
| Typical Fall Time (ns) | 18 |
| Typical Rise Time (ns) | 47 |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 3.7 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 6.1 nC @ 5 V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 6.1nC@5V |
| Typical Turn-On Delay Time | 9.3 ns |
| Maximum Gate Source Voltage | -10 V, +10 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 16 ns |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка / блок | TO-220AB-3 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 250pF@25V |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 5.6A |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 43000 |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Qg - заряд затвора | 6.1 nC |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 6.1(Max)@5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 540 mΩ |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±10 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 9.3 |
| Время нарастания | 47 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 5.6 A |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 100 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 16 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 5.6 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 250@25V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 540@5V |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 43 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 5.6 A |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 5 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 540 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Типичное время задержки выключения | 16 ns |
| Типичное время задержки при включении | 9.3 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 1.9 S |