Моя заявка (0)

HEXFET N-Channel MOSFET, 140 A, 30 V, 3-Pin D2PAK IRL3803STRLPBF

HEXFET N-Channel MOSFET, 140 A, 30 V, 3-Pin D2PAK IRL3803STRLPBF

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014556215
Артикул
IRL3803STRLPBF
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Pin Count
3
Вес, г
1
Длина
6.5 mm
Channel Type
N
Цена по запросу
(от 570 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET,logic level, 30В, 140А

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г1
Длина6.5 mm
Channel TypeN
Package TypeD2PAK(TO-263)
Высота2.3 mm
Ширина6.22 mm
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада35 ns
ОсобенностиHigh Cell Density Trench
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаInfineon / IR
Упаковка / блокTO-252-3
Maximum Drain Source Voltage30 V
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Maximum Gate Threshold Voltage1V
Qg - заряд затвора140 nC
Maximum Drain Source Resistance9 mO
Время нарастания230 ns
Maximum Continuous Drain Current140 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности3.8 W
Id - непрерывный ток утечки140 A
Размер фабричной упаковки800
Vgs - напряжение затвор-исток16 V, + 16 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток9 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Типичное время задержки выключения29 ns
Типичное время задержки при включении14 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А140
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.55 S
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт200
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация