IRL3705ZSTRLPBF, Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET,logic level, 55В, 86А, 130Вт
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024644424
- Артикул
- IRL3705ZSTRLPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 11.3mm
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series
- HEXFET
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 190 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET,logic level, 55В, 86А, 130Вт
Технические параметры
| Width | 11.3mm |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series | HEXFET |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 83 ns |
| Rise Time: | 240 ns |
| Вес, г | 998 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-263-3 |
| Part # Aliases: | IRL3705ZSTRLPBF SP001552564 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 60 nC |
| Структура | N-МОП |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Forward Diode Voltage | 1.3V |
| Особенности | логические уровни |
| Pd - Power Dissipation: | 130 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 130 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 40 nC @ 5 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -16 V, +16 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -16 V, +16 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 55 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 86 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 150 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 12 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 86 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 8 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 55 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 800 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 86 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 130 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±16В |