IRL3705NPBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 55В, 89А, 130Вт, TO220AB
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8008513608
- Артикул
- IRL3705NPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- HEXFETВ®
- Version
- N channel
- Assembly
- THT
- FET Type
- N-Channel
Цена по запросу
(от 270 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 55В, 89А, 130Вт, TO220AB Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Series | HEXFETВ® |
| Version | N channel |
| Assembly | THT |
| FET Type | N-Channel |
| Enclosure | TO-220 |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | В±16V |
| Power loss | 170 W |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 1.92 |
| FET Feature | - |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Max. current | 89 A |
| Package Type | TO-220AB |
| max. Voltage | 55 V |
| Корпус | TO220AB |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250ВµA |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | Si |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 46A, 10V |
| Особенности | логические уровни |
| Power Dissipation (Max) | 170W(Tc) |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 9.8x10<sup>-8</sup> C |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 170 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 98 nC @ 5 V |
| max. operating temperature | 150 °C |
| min. operating temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Source Voltage | -16 V, +16 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 98nC @ 5V |
| Maximum Drain Source Voltage | 55 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 10 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 89 A |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3600pF @ 25V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 89A(Tc) |
| Крутизна характеристики, S | 50 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 89 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 130 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±16В |