IRL2910STRLPBF, Транзистор, N-MOSFET, 100В, 55А, 200Вт, 0.026Ом [D2PAK.]
![IRL2910STRLPBF, Транзистор, N-MOSFET, 100В, 55А, 200Вт, 0.026Ом [D2PAK.]](https://static.epl-electro.ru/lib/095/DOC003095844.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9000694101
- Артикул
- IRL2910STRLPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 3
- Структура
- МОП-транзистор
- Особенности
- логические уровни
- Линейка продукции
- hexfet series
Цена по запросу
(от 286 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET,logic level, 100В, 55А
Технические параметры
| Вес, г | 3 |
| Структура | МОП-транзистор |
| Особенности | логические уровни |
| Линейка продукции | hexfet series |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Непрерывный Ток Стока | 55А |
| Рассеиваемая Мощность | 200Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263 |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.026Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 55 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 200 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±16В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.026 Ом |