Моя заявка (0)

IRL2910STRLPBF, Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET,logic level, 100В, 55А

IRL2910STRLPBF, Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET,logic level, 100В, 55А

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024644371
Артикул
IRL2910STRLPBF
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Вес, г
3
Длина
10.67мм
Серия
HEXFET
Высота
4.83мм
Цена по запросу
(от 400 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET,logic level, 100В, 55А

Технические параметры

Вес, г3
Длина10.67мм
СерияHEXFET
Высота4.83мм
Ширина9.65мм
Размеры10.67 x 9.65 x 4.83мм
КатегорияМощный МОП-транзистор
СтруктураN-МОП
Тип каналаN
Тип корпусаD2PAK (TO-263)
Тип монтажаПоверхностный монтаж
Особенностилогические уровни
Номер каналаПоднятие
Transistor ConfigurationОдинарный
ПроизводительInfineon
Число контактов3
Maximum Gate Threshold Voltage2V
Minimum Gate Threshold Voltage1V
Материал транзистораКремний
Количество элементов на ИС1
Типичный заряд затвора при Vgs140 нКл при 5 В
Типичная входная емкость при Vds3700 пФ при 25 В
Пороговое напряжение на затворе1.35…2.25
Максимальное рассеяние мощности200 W
Минимальная рабочая температура-55 °C
Максимальная рабочая температура+175 °C
Типичное время задержки включения11 ns
Максимальное напряжение сток-исток100 В
Максимальный непрерывный ток стока55 А
Типичное время задержки выключения49 нс
Максимальное напряжение затвор-исток-16 V, +16 V
Максимальное сопротивление сток-исток40 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А55
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт200
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±16В

Техническая документация