HEXFET Type N-Channel MOSFET, 160 A, 40 V, 3-Pin TO-263 IRL1404STRLPBF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014553056
- Артикул
- IRL1404STRLPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Type
- 1PCSNChannel
- Series
- HEXFET
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 650,90 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Этот мощный МОП-транзистор HEXFET использует новейшие теxнологии обработки для достижения чрезвычайно низкого сопротивления на площади кремния.
Технические параметры
| Type | 1PCSNChannel |
| Series | HEXFET |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Type | N |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Корпус | TO-263 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Power Dissipation | 200Вт |
| Структура | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 3.8W;200W |
| Особенности | логические уровни |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 140nC@5V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 6.6nF@25V |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 160A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.004 Ω |
| Drain Source On State Resistance | 0.004Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 160 A |
| Линейка Продукции | HEXFET |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 160А |
| Рассеиваемая Мощность | 200Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 40В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.004Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 160 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 4mΩ@10V, 95A |