IRL100HS121, Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 7,8А, 5,8Вт, PQFN2X2
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8065914237
- Артикул
- IRL100HS121
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- -
- FET Type
- N-Channel
- Packaging
- Tape & Reel(TR)
- Vgs (Max)
- В±20V
Цена по запросу
(от 57 ₽)
Минимальный заказ: 4000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET, N-канальный, 100 В, 11 А, 11,5 Вт, PQFN; Полярность транзистора: N-канальный; Постоянный ток стока Id:11 А; Напряжение источника стока Vds: 100 В; Сопротивление включения Rds(on): 0,034 Ом; Тестовое напряжение Rds(on) Vgs:10 В; Пороговое напряжение Vgs:1,7
Технические параметры
| Series | - |
| FET Type | N-Channel |
| Packaging | Tape & Reel(TR) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.5 |
| FET Feature | - |
| Part Status | Active |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-VDFN Exposed Pad |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 10ВµA |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42mOhm @ 6.7A, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 11.5W(Tc) |
| Supplier Device Package | 6-PQFN(2x2) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.6nC @ 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 440pF @ 50V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 11A(Tc) |