Моя заявка (0)

IRL1004PBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 40В, 130А, 200Вт, TO220AB

IRL1004PBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 40В, 130А, 200Вт, TO220AB

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017539230
Артикул
IRL1004PBF
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Series
LogicFET
Pin Count
3
Вес, г
1.95
Длина
10 mm
Цена по запросу
(от 216 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор MOSFT 130A 66.7nC 6.5mOhm LogLvAB

Технические параметры

SeriesLogicFET
Pin Count3
Вес, г1.95
Длина10 mm
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-220AB
Высота15.65 mm
Ширина4.4 mm
Mounting TypeThrough Hole
RoHS CompliantYes
УпаковкаTube
Transistor MaterialSi
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Тип продуктаMOSFET
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Maximum Power Dissipation200 W
Typical Gate Charge @ Vgs100 nC @ 4.5 V
Maximum Gate Source Voltage-16 V, +16 V
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаInfineon / IR
Упаковка / блокTO-220-3
Maximum Drain Source Voltage40 V
Maximum Operating Temperature+175 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Maximum Gate Threshold Voltage1V
Minimum Gate Threshold Voltage1V
Qg - заряд затвора66.7 nC
Maximum Drain Source Resistance7 mΩ
Maximum Continuous Drain Current130 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности200 W
Id - непрерывный ток утечки130 A
Размер фабричной упаковки1000
Vgs - напряжение затвор-исток16 V, + 16 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток9 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток40 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.8 V

Техническая документация