IRL1004PBF, LogicFET Type N-Channel MOSFET, 130 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-220
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014599022
- Артикул
- IRL1004PBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- LogicFET
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
- Длина
- 10 mm
Цена по запросу
(от 630 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 40В, 130А, 200Вт, TO220AB Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Series | LogicFET |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 10 mm |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220AB |
| Высота | 15.65 mm |
| Корпус | TO-220 |
| Ширина | 4.4 mm |
| Mounting Type | Through Hole |
| RoHS Compliant | Yes |
| Упаковка | Tube |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Особенности | логические уровни |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 200 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 100 nC @ 4.5 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -16 V, +16 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Infineon / IR |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Qg - заряд затвора | 66.7 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 7 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 130 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 200 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 130 A |
| Крутизна характеристики, S | 63 |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 16 V, + 16 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 9 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.8 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 130 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 200 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±16В |