IRGP4063DPBF (JSMSEMI), IRGP4063DPBF IGBT транзистор, 650 В, 100 А, 2.6 мДж, TO-247
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8072773816
- Артикул
- IRGP4063DPBF (JSMSEMI)
- Бренд
- JSMicro Semiconductor Co., Ltd
- Тип
- IGBT
- Вес, г
- 8.98
- Корпус
- TO-247
- Описание
- IGBT 650 В, 50 А, Vce(sat)1.65 В, TO-247
Цена по запросу
(от 273 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Тип | IGBT |
| Вес, г | 8.98 |
| Корпус | TO-247 |
| Описание | IGBT 650 В, 50 А, Vce(sat)1.65 В, TO-247 |
| Способ монтажа | Through Hole |
| Заряд затвора, нКл | 183 |
| Потери на переключение, мДж | 2.6 |
| Диапазон рабочих температур | -55…+175 °С |
| Напряжение насыщения КЭ Vce(sat), В | 1.65 |
| Пороговое напряжение ЗЭ (Vge(th)), В | 5.3 |
| Максимальное напряжение КЭ (Vces), В | 650 |
| Максимальный ток коллектора (Ic), А | 100 |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 59*33*18/225 |