IRG7PH35UPBF, IGBT транзистор 1200В 35А 8-30кГц TO247AC восстановленное лужение выводов
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8946038682
- Артикул
- IRG7PH35UPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Family
- IGBTs-Single
- Series
- -
- Category
- Discrete Semiconductor Products
- IGBT Type
- Trench
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Компания International Rectifier представила новое семейство надежных и эффективных IGBT транзисторов на 1200 В для индукционного нагрева, бесперебойных источников питания (UPS), солнечных батарей и сварочной техники. Это транзисторы: IRG7PH35UPBF, IRG7PH42UPBF, IRG7PH46UPBF и также аналогичные приборы со встроенным диодом с малым временем восстановления. Новое семейство сверхбыстрых 1200 В транзисторов разработано на основе Trench технологии с плоской подложкой Field-Stop, которая позволяет значительно сократить потери на переключение и проводимость для повышения плотности мощности и эффективности работы на высоких частотах. Транзисторы также оптимизированы для применений, не требующих защиты от короткого замыкания, таких как UPS, солнечные инвертеры, сварочное оборудование, и дополняют линейку продукции IR для управления приводами со стойкостью к воздействию тока короткого замыкания в течение 10 мс. Линейка транзисторов охватывает диапазон токов 20-40 А для корпусированных приборов и до 150 А для кристаллов. Ключевыми преимуществами IGBT является квадратная область безопасной работы (RBSOA), положительный температурный коэффициент напряжения насыщения коллектор-эмиттер (VCEon), малое напряжение насыщения VCEon для уменьшения мощности рассеивания и повышения плотности энергии.
Технические параметры
| Family | IGBTs-Single |
| Series | - |
| Category | Discrete Semiconductor Products |
| IGBT Type | Trench |
| Packaging | Tube |
| Input Type | Standard |
| Вес, г | 7.5 |
| Gate Charge | 85nC |
| Power - Max | 210W |
| Корпус | to247ac |
| Mounting Type | Through Hole |
| PCN Packaging | Package Drawing Update 19/Aug/2015 |
| Online Catalog | Standard IGBTs |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Test Condition | 600V, 20A, 10 Ohm, 15V |
| Standard Package | 25 |
| Switching Energy | 1.06mJ(on), 620µJ(off) |
| PCN Assembly/Origin | IGBT Backend Wafer Processing 23/Oct/2013IGBT Wafer Fab Change 08/Nov/2013 |
| Td (on/off) @ 25°C | 30ns/160ns |
| Supplier Device Package | TO-247AC |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 20A |
| Product Training Modules | IGBT Primer Device and ApplicationsHigh Voltage Integrated Circuits(HVIC Gate Drivers) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 55A |
| Мощность макс.,Вт | 210 |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 60A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Управляющее напряжение,В | 6 |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 55 |
| Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A | 35 |
| Максимальная частота переключения, кГц | 30 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.9 |