Моя заявка (0)
IRG4BC30KDPBF, IGBT транзистор 600В 28А 8-25кГц TO220AB

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8066609510
Артикул
IRG4BC30KDPBF
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
RoHS
Details
Brand
Infineon Technologies
Width
4.69 mm(Max)
Height
8.77 mm(Max)
Цена по запросу
(от 261 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 28 А, 100 Вт

Технические параметры

RoHSDetails
BrandInfineon Technologies
Width4.69 mm(Max)
Height8.77 mm(Max)
Length10.54 mm(Max)
PackagingTube
TechnologySi
Вес, г2.5
Unit Weight0.211644 oz
ManufacturerInfineon
КорпусTO220AB
ConfigurationSingle
Mounting StyleThrough Hole
Package / CaseTO-220-3
Product CategoryIGBT Transistors
Factory Pack Quantity1000
Pd - Power Dissipation100 W
Gate-Emitter Leakage Current100 nA
Maximum Gate Emitter Voltage+/-20 V
Maximum Operating Temperature+150 C
Minimum Operating Temperature-55 C
Мощность макс.,Вт100
Collector- Emitter Voltage VCEO Max600 V
Continuous Collector Current Ic Max28 A
Collector-Emitter Saturation Voltage2.21 V
Continuous Collector Current at 25 C28 A
Рабочая температура (Tj), °C-55…+150
Наличие встроенного диодаДа
Максимальный ток КЭ при 25°C, A28
Максимальное напряжение КЭ ,В600
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A28
Импульсный ток коллектора (Icm), А56
Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A28
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт100
Максимальная частота переключения, кГц25
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс60
Напряжение насыщения при номинальном токе, В2.21
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс160

Техническая документация