Моя заявка (0)

IRFZ48SPBF, Power MOSFET, N Channel, 60 V, 50 A, 0.018 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

IRFZ48SPBF, Power MOSFET, N Channel, 60 V, 50 A, 0.018 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8009036750
Артикул
IRFZ48SPBF
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
RoHS
Details
Brand
Vishay Semiconductors
Width
9.65 mm
Height
4.83 mm
Цена по запросу
(от 576 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор N-Channel 60V Power МОП-транзистор

Технические параметры

RoHSDetails
BrandVishay Semiconductors
Width9.65 mm
Height4.83 mm
Length10.67 mm
SeriesIRF
PackagingReel
TradenameTrenchFET
TechnologySi
Вес, г0.001
Длина10.67 mm
СерияIRFZ
Unit Weight0.050717 oz
ManufacturerVishay
Высота4.83 mm
КорпусTO-263
Ширина9.65 mm
Package / CaseTO-263-3
Product CategoryMOSFET
УпаковкаReel, Cut Tape
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Factory Pack Quantity1000
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада250 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаVishay / Siliconix
Упаковка / блокTO-263-3
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора110 nC
Время нарастания250 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности190 W
Id - непрерывный ток утечки50 A
Размер фабричной упаковки1000
Vgs - напряжение затвор-исток10 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток18 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток60 V
Пороговое напряжение на затворе2…4 В
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Типичное время задержки выключения210 ns
Типичное время задержки при включении8.1 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А50
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.27 S
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.018 Ом

Техническая документация