IRFZ48NPBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 55В, 64А, 94Вт, TO220AB
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070242205
- Артикул
- IRFZ48NPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Q(g)
- 54 nC
- V(DS)
- 55 V
- Width
- 4.69mm
- Series
- HEXFET
Цена по запросу
(от 128,33 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 55В, 64А, 94Вт, TO220AB Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Q(g) | 54 nC |
| V(DS) | 55 V |
| Width | 4.69mm |
| Series | HEXFET |
| Package | TO-220 |
| Packaging | TUBE |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | NO |
| Вес, г | 1.97 |
| Длина | 10 mm |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220AB |
| Высота | 15.65 mm |
| Ширина | 4.4 mm |
| Configuration | N-CH |
| Mounting Type | Through Hole |
| RDS(on)at 10V | 14 mOhm |
| Fast bodydiode | NO |
| I(D)at Tc=25°C | 64 A |
| Упаковка | Tube |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 130 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 81 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 4V @ 250uA |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 55 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Qg - заряд затвора | 54 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 14 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 64 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 14mО© @ 32A,10V |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 130W |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 55V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 64A |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 94 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 64 A |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 14 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 55 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.8 V |