Моя заявка (0)

HEXFET N-Channel MOSFET, 51 A, 55 V, 3-Pin D2PAK IRFZ46ZSTRLPBF

HEXFET N-Channel MOSFET, 51 A, 55 V, 3-Pin D2PAK IRFZ46ZSTRLPBF

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014553055
Артикул
IRFZ46ZSTRLPBF
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Series
HEXFET
Pin Count
3
Вес, г
1
Длина
10 mm
Цена по запросу
(от 316,90 ₽)
Минимальный заказ: 15 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Этот мощный МОП-транзистор Infineon Strong IRFET оптимизирован для работы с низким значением RDS (on) и высокой пропускной способностью по току. Он идеально подxодит для низкочастотныx приложений, требующиx высокой производительности и надежности.

Технические параметры

SeriesHEXFET
Pin Count3
Вес, г1
Длина10 mm
Channel TypeN
Package TypeD2PAK(TO-263)
Высота4.4 mm
Ширина9.25 mm
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада39 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаInfineon / IR
Упаковка / блокTO-263-3
Maximum Drain Source Voltage55 V
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Maximum Gate Threshold Voltage4V
Qg - заряд затвора46 nC
Maximum Drain Source Resistance0.0136 Ω
Время нарастания63 ns
Maximum Continuous Drain Current51 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности82 W
Id - непрерывный ток утечки51 A
Размер фабричной упаковки800
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток13.6 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток55 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток4 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А51
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.45 S
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация