Моя заявка (0)
IRFZ40PBF, Транзистор

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070203506
Артикул
IRFZ40PBF
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Tab
Tab
PPAP
No
Mounting
Through Hole
ECCN (US)
EAR99
Цена по запросу
(от 261,38 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор N-Chan 50V 50 Amp

Технические параметры

TabTab
PPAPNo
MountingThrough Hole
ECCN (US)EAR99
Pin Count3
AutomotiveNo
Lead ShapeThrough Hole
Вес, г2
Длина10.41 mm
СерияIRFZ
PCB changed3
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-220AB
Высота15.49 mm
Ширина4.7 mm
ConfigurationSingle
Mounting TypeThrough Hole
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageTO-220AB
УпаковкаTube
Transistor MaterialSi
ТехнологияSi
Standard Package NameTO-220
Вид монтажаThrough Hole
Typical Fall Time (ns)12
Typical Rise Time (ns)25
Тип продуктаMOSFET
Transistor ConfigurationSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Maximum Power Dissipation150 W
Typical Gate Charge @ Vgs67 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаVishay / Siliconix
Упаковка / блокTO-220-3
Maximum Drain Source Voltage60 V
Maximum Operating Temperature+175 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Power Dissipation (mW)150000
Minimum Gate Threshold Voltage2V
Typical Gate Charge @ 10V (nC)40
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)40@10V
Maximum Drain Source Resistance28 mΩ
Maximum Gate Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)15
Maximum Continuous Drain Current50 A
Maximum Drain Source Voltage (V)60
Typical Turn-Off Delay Time (ns)35
Maximum Operating Temperature (°C)175
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Категория продуктаМОП-транзистор
Maximum Continuous Drain Current (A)50
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)2350@25V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)28@10V
Размер фабричной упаковки50

Техническая документация