IRFZ34NSTRLPBF, Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET, 55В, 29А, 68Вт, D2PAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8016753056
- Артикул
- IRFZ34NSTRLPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- HTS
- COMPONENTS
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- SVHC
- Yes
Цена по запросу
(от 130 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
В МОП-транзисторе Infineon power используются новейшие теxнологии обработки для достижения чрезвычайно низкого сопротивления на площади кремния. Эта конструкция обладает такими xарактеристиками, как рабочая температура 175°C и высокая скорость переключения.
Технические параметры
| HTS | COMPONENTS |
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| SVHC | Yes |
| Series | HEXFET |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.43 |
| PCB changed | 2 |
| Part Status | NRND |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | D2PAK |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Width | 9.65(Max) |
| Package Height | 4.83(Max) |
| Package Length | 10.67(Max) |
| EDA / CAD Models | IRFZ34NSTRLPBF by Ultra Librarian |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | D2PAK |
| Maximum IDSS (uA) | 25 |
| Process Technology | HEXFET |
| Структура | N-МОП |
| Transistor Material | Silicon |
| Standard Package Name | TO-263 |
| SVHC Exceeds Threshold | Yes |
| Typical Fall Time (ns) | 40 |
| Typical Rise Time (ns) | 49 |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 55 V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 3800 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 34(Max) |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 34(Max)@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Output Capacitance (pF) | 240 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 7 |
| Maximum Continuous Drain Current | 29 A |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 55 |
| Typical Gate Plateau Voltage (V) | 5.8 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 31 |
| Maximum Diode Forward Voltage (V) | 1.6 |
| Typical Gate to Drain Charge (nC) | 14(Max) |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4 |
| Minimum Gate Threshold Voltage (V) | 2 |
| Typical Gate to Source Charge (nC) | 6.8(Max) |
| Typical Reverse Recovery Time (ns) | 57 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 29 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 175 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 700@25V |
| Typical Reverse Recovery Charge (nC) | 130 |
| Maximum Drain Source Resistance (MOhm) | 40@10V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Maximum Positive Gate Source Voltage (V) | 20 |
| Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A) | 100 |
| Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF) | 100@25V |
| Maximum Junction Ambient Thermal Resistance on PCB (°C/W) | 40 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 29 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 68 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |