IRFZ34NPBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 55В, 26А, 56Вт, TO220AB
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017539022
- Артикул
- IRFZ34NPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.29.0095
- Series
- HEXFETВ® ->
- Package
- Tube
Цена по запросу
(от 51,03 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор MOSFT 55V 26A 40mOhm 22.7nC
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Series | HEXFETВ® -> |
| Package | Tube |
| FET Type | N-Channel |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Вес, г | 1.99 |
| Длина | 10 mm |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220AB |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Высота | 15.65 mm |
| Ширина | 4.4 mm |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Упаковка | Tube |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Base Product Number | IRFZ34 -> |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 16A, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 68W (Tc) |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 68 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 34 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34nC @ 10V |
| Maximum Drain Source Voltage | 55 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Qg - заряд затвора | 22.7 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 40 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 29 A |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 700pF @ 25V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 29A (Tc) |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 56 W |
| Другие названия товара № | SP001568128 |
| Id - непрерывный ток утечки | 26 A |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 40 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 55 V |