IRFZ24NPBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 55В, 17А, 45Вт, TO220AB
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062091622
- Артикул
- IRFZ24NPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Q(g)
- 20 nC
- V(DS)
- 55 V
- P(tot)
- 45 W
- Series
- HEXFET
Цена по запросу
(от 99,88 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 55В, 17А, 45Вт, TO220AB Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Q(g) | 20 nC |
| V(DS) | 55 V |
| P(tot) | 45 W |
| Series | HEXFET |
| Package | TO-220 |
| R(thJC) | 3.3 K/W |
| FET Type | N-Channel |
| Mounting | THT |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Automotive | NO |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 1.92 |
| Длина | 10 mm |
| FET Feature | - |
| Logic level | NO |
| Part Status | Active |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Package Type | TO-220AB |
| Высота | 15.65 mm |
| Ширина | 4.4 mm |
| Configuration | N-CH |
| Mounting Type | Through Hole |
| RDS(on)at 10V | 70 mOhm |
| Fast bodydiode | NO |
| Package / Case | TO-220-3 |
| I(D)at Tc=25°C | 17 A |
| Упаковка | Tube |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 10A, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 45W(Tc) |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 45 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 4V @ 250uA |
| Температура, С | -55…+175 |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Maximum Drain Source Voltage | 55 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Qg - заряд затвора | 13.3 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 70 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 17 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 70mО© @ 10A,10V |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 45W |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 370pF @ 25V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 55V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 17A |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 17A(Tc) |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 45 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 17 A |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Крутизна характеристики S,А/В | 4.5 |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 70 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 55 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.8 V |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 70 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 4 |