IRFZ20PBF, Transistor: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070221374
- Артикул
- IRFZ20PBF
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 2
- Серия
- IRFZ
- Channel Type
- N Channel
- Упаковка
- Tube
Цена по запросу
(от 186,03 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 60V N-CH HEXFET МОП-транзистор
Технические параметры
| Вес, г | 2 |
| Серия | IRFZ |
| Channel Type | N Channel |
| Упаковка | Tube |
| Power Dissipation | 40Вт |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 15 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 12 nC |
| Время нарастания | 45 ns |
| Drain Source On State Resistance | 0.1Ом |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Непрерывный Ток Стока | 15А |
| Рассеиваемая Мощность | 40Вт |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Pd - рассеивание мощности | 40 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 15 A |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 50В |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220AB |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 100 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 50 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 20 ns |
| Типичное время задержки при включении | 15 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.1Ом |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 5 S |