Моя заявка (0)

IRFZ20PBF, Power MOSFET, N Channel, 50 V, 15 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Through Hole

IRFZ20PBF, Power MOSFET, N Channel, 50 V, 15 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8009036749
Артикул
IRFZ20PBF
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Вес, г
0.001
Серия
IRFZ
Channel Type
N Channel
Корпус
TO-220AB
Цена по запросу
(от 258 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 60V N-CH HEXFET МОП-транзистор

Технические параметры

Вес, г0.001
СерияIRFZ
Channel TypeN Channel
КорпусTO-220AB
УпаковкаTube
Power Dissipation40Вт
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Время спада15 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаVishay Semiconductors
Упаковка / блокTO-220-3
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора12 nC
Время нарастания45 ns
Drain Source On State Resistance0.1Ом
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество Выводов3вывод(-ов)
Количество каналов1 Channel
Монтаж транзистораThrough Hole
Непрерывный Ток Стока15А
Рассеиваемая Мощность40Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs4В
Pd - рассеивание мощности40 W
Id - непрерывный ток утечки15 A
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds50В
Размер фабричной упаковки50
Стиль Корпуса ТранзистораTO-220AB
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток100 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток50 V
Пороговое напряжение на затворе2…4 В
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная Рабочая Температура150 C
Типичное время задержки выключения20 ns
Типичное время задержки при включении15 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В50
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.1Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А15
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.5 S
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.1 Ом

Техническая документация