IRFZ14PBF, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 7,2А, 43Вт, TO220AB
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062505759
- Артикул
- IRFZ14PBF
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- Width
- 4.7mm
- EU RoHS
- Compliant
Цена по запросу
(от 266,62 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 7,2А, 43Вт, TO220AB Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| Width | 4.7mm |
| EU RoHS | Compliant |
| Mounting | Through Hole |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Through Hole |
| Вес, г | 1.96 |
| Серия | IRFZ |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220AB |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | TO-220AB |
| Упаковка | Tube |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Технология | Si |
| Standard Package Name | TO-220 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 19 ns |
| Typical Fall Time (ns) | 19 |
| Typical Rise Time (ns) | 50 |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 43 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 43000 |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Qg - заряд затвора | 11 nC |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 11(Max) |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 11(Max)10V |
| Maximum Drain Source Resistance | 200 mΩ |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 10 |
| Время нарастания | 50 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 10 A |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 13 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 10 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 300 25V |
| Maximum Drain Source Resistance (MOhm) | 200 10V |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 43 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 10 A |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 200 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Типичное время задержки выключения | 13 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 2.4 S |