IRFUC20PBF, MOSFETs N-Chan 600V 2.0 Amp
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005524583
- Артикул
- IRFUC20PBF
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- HTS
- 8542.39.00.01
- Tab
- Tab
- EU RoHS
- Compliant
- Military
- No
Цена по запросу
(от 199,06 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 1,3А, 42Вт, IPAK Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| HTS | 8542.39.00.01 |
| Tab | Tab |
| EU RoHS | Compliant |
| Military | No |
| Mounting | Through Hole |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 0.33 |
| Длина | 6.73 mm |
| Серия | IRFR/U |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Высота | 6.22 mm |
| Ширина | 2.39 mm |
| Configuration | Single |
| Package Width | 2.39(Max) |
| Package Height | 6.22(Max) |
| Package Length | 6.73(Max) |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | IPAK |
| Упаковка | Tube |
| Maximum IDSS (uA) | 100 |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Технология | Si |
| Standard Package Name | TO-251 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Typical Fall Time (ns) | 25 |
| Typical Rise Time (ns) | 23 |
| Особенности | высоковольтный |
| Тип продукта | MOSFET |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка / блок | TO-251-3 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2500 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 18(Max) |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 18(Max)@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 10 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 600 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 30 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 2 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 350@25V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 4400@10V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Крутизна характеристики, S | 1.4 |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | -30 V, +30 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 42 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |